Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 90-TFBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Q @ Freq 512Mbit
  • Материал оболочки Volatile
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
  • Диаметр - Внутренний 3V ~ 3.6V
  • Функция - Освещение SDRAM
  • Напряжение - VCCB 167 MHz
  • Память DRAM
  • Максимальное переменное напряжение 90-TFBGA (8x13)
  • Parallel
  • 5.4 ns
  • 16M x 32
  • Not Verified

Сопутствующие товары


IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA

Инвентаризация: 316

Top