- Модель продукта IS42S32160F-6BLI
- Бренд ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1816
Технические детали
- Тип монтажа 90-TFBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 512Mbit
- Материал оболочки Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 3V ~ 3.6V
- Функция - Освещение SDRAM
- Напряжение - VCCB 167 MHz
- Память DRAM
- Максимальное переменное напряжение 90-TFBGA (8x13)
- Parallel
- 5.4 ns
- 16M x 32
- Not Verified