- Модель продукта BY25Q128ASSJG(R)
- Бренд BYTe Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 128Mbit
- Материал оболочки Non-Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 105°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 2.7V ~ 3.6V
- Функция - Освещение FLASH - NOR (SLC)
- Напряжение - VCCB 108 MHz
- Память FLASH
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- 50µs, 2.4ms
- SPI - Quad I/O
- 7 ns
- 16M x 8