- Модель продукта THGJFJT2T85BAT0
- Бренд Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание 512GB UFS V4.0
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1651
Технические детали
- Тип монтажа 153-BGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 4Tbit
- Материал оболочки Non-Volatile
- Крутящий момент - Винт -25°C ~ 85°C
- Диаметр - Внутренний 2.4V ~ 2.7V
- Функция - Освещение FLASH - NAND
- Напряжение - VCCB 2.32 GHz
- Память FLASH
- Максимальное переменное напряжение 153-BGA (11x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8