• Модель продукта K6T1008V2E-TF70T
  • Бренд Samsung Semiconductor
  • RoHS No
  • Описание SRAM ASYNC SLOW 1MB 128KX8 3.3V
  • Классификация Память
  • PDF
Инвентаризация:48300

Технические детали

  • Количество витков Surface Mount
  • Q @ Freq 1Mbit
  • Материал оболочки Volatile
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
  • Диаметр - Внутренний 3.3V
  • Функция - Освещение SRAM - Asynchronous
  • Память SRAM
  • Максимальное переменное напряжение 32-TSOP
  • 70ns
  • Parallel
  • 128K x 8
  • Not Verified
Top