Технические детали

• Тип монтажа 32-VFQFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Количество групп LVCMOS
• CCT (K) 4.4GHz
• Диэлектрический материал Fractional N Synthesizer (RF)
• Дистанция сенсорного обнаружения LVCMOS
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 3.135V ~ 3.465V
• Материал нити 1:2
• Диаметр нити No/Yes
• Максимальное переменное напряжение 32-VFQFPN (5x5)
• Ускорение Yes
• Защита Yes/No
• 1
• Not Verified