- Модель продукта IS43LQ16128A-062TBLI
- Бренд ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
- Классификация Память
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 200-TFBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 2Gbit
- Материал оболочки Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 95°C (TC)
- Диаметр - Внутренний 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Функция - Освещение SDRAM - Mobile LPDDR4
- Напряжение - VCCB 1.6 GHz
- Память DRAM
- Максимальное переменное напряжение 200-TFBGA (10x14.5)
- LVSTL
- 128M x 16
- Not Verified
Сопутствующие товары
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
Инвентаризация: 118
2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Инвентаризация: 0
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
Инвентаризация: 65
4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Инвентаризация: 10
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
Инвентаризация: 266
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Инвентаризация: 1211
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
Инвентаризация: 1883
LPDDR4 2GB X16 3200MHZ CL22 10X1
Инвентаризация: 2000
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Инвентаризация: 0
