-
Модель продукта
HYB25D512800CE-5
-
Бренд
Qimonda
-
RoHS
No
-
Описание
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
-
Классификация
Память
-
PDF
Технические детали
-
Тип монтажа
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
-
Количество витков
Surface Mount
-
Q @ Freq
512Mbit
-
Материал оболочки
Volatile
-
Крутящий момент - Винт
0°C ~ 70°C (TA)
-
Диаметр - Внутренний
2.3V ~ 2.7V
-
Функция - Освещение
SDRAM - DDR
-
Напряжение - VCCB
200 MHz
-
Память
DRAM
-
Максимальное переменное напряжение
66-TSOP II
-
Parallel
-
64M x 8
-
Not Verified
Top