• Модель продукта HYB25D512800CE-5
  • Бренд Qimonda
  • RoHS No
  • Описание IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
  • Классификация Память
  • PDF
Инвентаризация:3872

Технические детали

  • Тип монтажа 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Q @ Freq 512Mbit
  • Материал оболочки Volatile
  • Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TA)
  • Диаметр - Внутренний 2.3V ~ 2.7V
  • Функция - Освещение SDRAM - DDR
  • Напряжение - VCCB 200 MHz
  • Память DRAM
  • Максимальное переменное напряжение 66-TSOP II
  • Parallel
  • 64M x 8
  • Not Verified
Top